Puces et intelligence artificielle : les dépenses mondiales en équipements s’envolent

Goldman Sachs revoit nettement à la hausse ses perspectives pour le marché mondial des équipements destinés à la fabrication de semi-conducteurs. Selon une analyse publiée le 23 août, les investissements dans les équipements de fabrication de wafers, ou WFE (Wafer Fab Equipment), pourraient atteindre 150 milliards de dollars en 2026, 218 milliards en 2027 et 281 milliards en 2028. Ces estimations représentent respectivement des hausses de 6 %, 17 % et 35 % par rapport aux précédentes projections de la banque.

Trois années de forte accélération pour les équipements de semi-conducteurs

La nouvelle trajectoire dessinée par Goldman Sachs traduit un changement d’ampleur dans les anticipations concernant le cycle d’investissement des fabricants de puces. La banque estime désormais que les dépenses WFE progresseront de 36 % en 2026, de 45 % en 2027 et de 29 % en 2028, contre des prévisions précédentes de 28 %, 32 % et 12 %.

Cette révision intervient après une saison de résultats du deuxième trimestre marquée par des annonces d’investissements dans les semi-conducteurs supérieures aux attentes. Pour Goldman Sachs, la dynamique du marché ne repose plus sur un seul segment : la mémoire DRAM, les fonderies avancées, la NAND et les activités logiques participent désormais simultanément à la croissance.

Cette évolution pourrait prolonger la visibilité des fabricants d’équipements et soutenir le cycle d’investissement jusqu’à la fin de la décennie.

La mémoire DRAM devient un moteur essentiel

Parmi les différents segments, la DRAM concentre l’une des plus fortes révisions. Goldman Sachs prévoit désormais 48 milliards de dollars de dépenses WFE en 2026, 72 milliards en 2027 et 97 milliards en 2028. Les progressions annuelles attendues atteignent ainsi 50 %, 50 % et 35 %.

L’essor de la mémoire HBM4 constitue un facteur déterminant. Destinée notamment aux infrastructures d’intelligence artificielle, cette génération de mémoire nécessite des procédés de fabrication et d’assemblage plus complexes que ceux de la HBM3, avec des exigences accrues en matière de densité des interconnexions et de précision des opérations de fabrication.

Dans ce contexte, Goldman Sachs a également relevé ses anticipations de dépenses d’investissement pour Samsung Electronics et SK hynix, respectivement de 22 % et 19 %. La banque estime par ailleurs que les contraintes de capacité dans la DRAM pourraient rester importantes jusqu’en 2028.

Les fonderies avancées accélèrent elles aussi

Le deuxième grand moteur de cette révision concerne les fonderies. Goldman Sachs porte ses prévisions de dépenses WFE dans ce segment à 58 milliards de dollars en 2026, 84 milliards en 2027 et 109 milliards en 2028, contre 52, 68 et 78 milliards auparavant.

La trajectoire de TSMC joue un rôle central dans cette évolution. Goldman Sachs a augmenté de 8 milliards de dollars par an son estimation des dépenses d’investissement du groupe taïwanais, en particulier en raison de la montée en puissance de son procédé N2 et de la demande de ses clients.

Le N2 constitue une étape technologique majeure pour TSMC. Il s’agit de son premier nœud destiné à la production de masse reposant sur une architecture de transistors de type Gate-All-Around (GAA). Sa complexité accrue implique notamment davantage de recours à des équipements de lithographie EUV, de dépôt de couches atomiques et de gravure sélective.

SpaceX et Tesla ajoutent un nouveau moteur avec Terafab

La dynamique ne se limite toutefois pas aux fabricants traditionnels de mémoires et aux grandes fonderies. Goldman Sachs identifie également Terafab comme un nouveau facteur susceptible de soutenir les dépenses dans les équipements de fabrication de puces.

Le segment logique et autres activités voit ainsi sa prévision pour 2028 fortement relevée, à 53 milliards de dollars. La demande supplémentaire provient notamment d’Intel et des investissements associés au projet Terafab. SpaceX et Tesla auraient déjà pris des engagements initiaux d’environ 16,8 milliards de dollars pour des équipements destinés à ce projet.

Cette évolution illustre l’élargissement du nombre d’acteurs investissant directement dans les capacités de production de semi-conducteurs. Pour Goldman Sachs, l’impact de Terafab n’en serait encore qu’à ses débuts, ce qui laisse la possibilité d’une nouvelle révision à la hausse si les différentes phases du projet se concrétisent.

La NAND progresse à un rythme plus mesuré

La NAND devrait également participer au cycle, mais avec une dynamique moins spectaculaire à court terme. Goldman Sachs maintient ses prévisions de dépenses WFE à 11 milliards de dollars en 2026, 15 milliards en 2027 et 22 milliards en 2028.

La banque a néanmoins abaissé son estimation pour 2027, précédemment fixée à 17 milliards de dollars, en raison notamment d’un ajustement du calendrier des investissements de certains fabricants. À court terme, les dépenses dans ce segment devraient principalement être consacrées aux évolutions technologiques, tandis que les tensions sur les capacités pourraient persister jusqu’en 2027.

Les fabricants d’équipements en première ligne

Cette accélération des investissements pourrait profiter directement aux fournisseurs d’équipements utilisés dans les usines de semi-conducteurs. Goldman Sachs conserve ainsi une opinion favorable sur plusieurs acteurs majeurs du secteur, notamment Applied Materials, Lam Research, ASML et Tokyo Electron.

La demande liée à la DRAM et à la HBM4 devrait soutenir les équipements de dépôt et de gravure, tandis que la montée en puissance des procédés avancés comme le N2 devrait accroître les besoins en lithographie et dans d’autres étapes critiques de fabrication.

L’enjeu dépasse donc la seule progression des dépenses. L’augmentation simultanée des investissements dans la mémoire, les fonderies avancées et la logique pourrait offrir aux équipementiers une meilleure visibilité sur leurs commandes et leurs marges.

Un cycle des semi-conducteurs désormais porté par plusieurs moteurs

Avec cette nouvelle estimation, Goldman Sachs ne se contente pas de modifier quelques chiffres : la banque revoit plus largement sa lecture du cycle industriel. La croissance attendue ne dépendrait plus principalement d’une reprise de la mémoire, mais d’une combinaison de facteurs technologiques et industriels.

La HBM4, les nouveaux nœuds de fabrication, l’expansion des capacités de fonderie, la NAND et l’arrivée de projets comme Terafab contribuent ensemble à redessiner les perspectives du marché.

Si ces investissements se matérialisent conformément aux prévisions, le marché mondial des équipements de fabrication de semi-conducteurs pourrait ainsi connaître une phase d’expansion particulièrement soutenue jusqu’en 2028.